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Si2315BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 12
R DS(on) ( Ω )
0.050 at V GS = - 4.5 V
0.065 at V GS = - 2.5 V
0.100 at V GS = - 1.8V
I D (A)
- 3.85
- 3.4
- 2.7
? Halogen-free Option Available
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 1.8 V Rated
P b -free
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
Top View
Si2315BDS *(M5)
* Marking Code
Ordering Information: Si2315BDS-T1
Si2315BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2315BDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
- 12
±8
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 3.85
- 3.0
- 12
- 3.0
- 2.45
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.0
- 0.62
Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.19
0.76
- 55 to 150
0.75
0.48
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typ.
Max.
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
85
130
60
105
166
75
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t ≤ 5 s.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 72014
S-80642-Rev. E, 24-Mar-08
www.vishay.com
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